GaP
Galio fosfido (GaP) kristalas yra infraraudonųjų spindulių optinė medžiaga, pasižyminti geru paviršiaus kietumu, dideliu šilumos laidumu ir plačiu pralaidumu.Dėl puikių visapusiškų optinių, mechaninių ir šiluminių savybių GaP kristalai gali būti naudojami karinėje ir kitoje komercinėje aukštųjų technologijų srityje.
| Pagrindinės savybės | |
| Kristalinė struktūra | Cinko mišinys |
| Simetrijos grupė | Td2-F43m |
| Atomų skaičius 1 cm3 | 4.94·1022 |
| Sraigto rekombinacijos koeficientas | 10-30cm6/s |
| Debye temperatūra | 445 tūkst |
| Tankis | 4,14 g cm-3 |
| Dielektrinė konstanta (statinė) | 11.1 |
| Dielektrinė konstanta (aukštas dažnis) | 9.11 |
| Efektyvi elektronų masėml | 1.12mo |
| Efektyvi elektronų masėmt | 0.22mo |
| Efektyvios skylių masėsmh | 0.79mo |
| Efektyvios skylių masėsmlp | 0.14mo |
| Elektronų giminingumas | 3,8 eV |
| Grotelių konstanta | 5.4505 A |
| Optinė fonono energija | 0,051 |
| Techniniai parametrai | |
| Kiekvieno komponento storis | 0,002 ir 3 +/-10 % mm |
| Orientacija | 110-110 |
| Paviršiaus kokybė | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Plokštumas | bangos ties 633 nm – 1 |
| Lygiagretumas | lanko min < 3 |
