ZnTe kristalas

Puslaidininkiniai teraherciniai GaSe ir ZnTe kristalai pasižymi aukštu lazerio pažeidimo slenksčiu ir generuoja itin trumpus ir aukštos kokybės THz impulsus naudojant didelės galios femtosekundinius lazerius.


  • FOB kaina:0,5–9 999 USD / vnt
  • Minimalus užsakymo kiekis:100 vienetų / vienetų
  • Tiekimo galimybė:10 000 vienetų / vienetų per mėnesį
  • Struktūros formulė:ZnTe
  • Tankis:5,633 g/cm³
  • Kristalo ašis:110
  • Produkto detalė

    Techninis parametras

    Puslaidininkiniai THz kristalai: ZnTe (cinko telurido) kristalai su <110> orientacija naudojami THz generavimui optinio rektifikavimo būdu.Optinis ištaisymas yra skirtingo dažnio generavimas terpėse, turinčiose didelį antros eilės jautrumą.Femtosekundinių lazerio impulsų, kurių dažnių juostos plotis yra didelis, dažnių komponentai sąveikauja vienas su kitu ir jų skirtumas sukuria dažnių juostos plotį nuo 0 iki kelių THz.THz impulsas aptinkamas naudojant laisvos erdvės elektrooptinį aptikimą kitame <110> orientuotame ZnTe kristale.THz impulsas ir matomas impulsas sklinda kolineariai per ZnTe kristalą.THz impulsas sukelia ZnTe kristalo dvigubą lūžį, kurį nuskaito tiesiškai poliarizuotas matomas impulsas.Kai kristale vienu metu yra matomas impulsas ir THz impulsas, matoma poliarizacija pasisuks THz impulsu.Naudojant λ / 4 bangų plokštę ir pluoštą skaidantį poliarizatorių kartu su subalansuotų fotodiodų rinkiniu, galima nustatyti THz impulsų amplitudę, stebint matomą impulsų poliarizacijos sukimąsi po ZnTe kristalo įvairiais vėlavimo laikais, atsižvelgiant į THz impulsą.Galimybė nuskaityti visą elektrinį lauką, tiek amplitudę, tiek vėlavimą, yra viena iš patrauklių laiko srities THz spektroskopijos savybių.ZnTe taip pat naudojamas IR optinių komponentų substratams ir vakuuminiam nusodinimui.

    Pagrindinės savybės
    Struktūros formulė ZnTe
    Grotelių parametrai a=6,1034
    Tankis 110